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透明導電膜・透明酸化物半導体の
基礎と応用および最新動向

~ITO,IZO,ZnO系,SnO2系,TiO2系,IGZO等の導電性透明半導体薄膜の
特性と成膜方法、応用、最新情報、今後の展望~

本セミナーは都合により中止となりました。(2020/3/24 15:30更新)
透明導電膜・透明酸化物半導体の基礎から、
成膜方法、構造・物性解析法、最新情報まで総合的に詳しく解説!
日時 2020年4月10日(金)  10:30~16:30
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 第2特別講習室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( S&T会員受講料 46,970円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,700円+税4,270円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額24,750円) 
備考※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

セミナー趣旨

 透明導電膜・透明酸化物半導体は、液晶・有機EL等のフラットパネルディスプレーやタッチパネル、および太陽電池等の環境技術分野において極めて重要な材料であり、近年種々の注目を集めています。特に、ITO代替の透明電極材料の研究開発、新しい有機エレクトロニクス分野への透明電極の適用のための研究開発は、極めて重要であると考えられてきています。
 この透明導電膜の基礎から応用、成膜方法に関する最新の研究開発成果等に関して、透明酸化物半導体であるIGZOも含めて総合的に解説します。

セミナー講演内容

1.透明導電膜を含む機能性酸化物薄膜に関する基礎
 
1.1 様々な透明導電膜とその特性
   (酸化インジウム系、酸化亜鉛系、酸化錫系透明導電膜)
   (アモルファス酸化インジウム-亜鉛透明導電膜)
 1.2 種々の透明導電材料に関する最新の話題
 1.3 機能性酸化物薄膜に関する最新の話題

2.透明導電膜の成膜方法
 2.1 スパッタ成膜法等、成膜プロセスの基礎
 2.2 高速成膜に関する最新の話題
 2.3 反応性スパッタリングの基礎と応用
 
3.新規透明導電材料の可能性
 3.1 透明導電膜開発のストラテジー
 3.2 3元系透明導電膜に関する最新の話題
 
4.IGZOや酸化亜鉛系、酸化錫系透明導電膜の新しい展開
 
5.まとめと質疑応答


※製膜プロセス、構造・物性解析法等に関する詳細に関しても解説いたします。