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ALD(原子層堆積法)の基礎と高品質膜化および最新動向

~今、ホットで注目のALDを基礎から学びます。高品質化・最適化へ~

このセミナーは【会場での受講】の他に、【WEBセミナー(アーカイブ:撮影した動画)】でのご受講が可能です。
※WEBセミナーは、セミナー終了10日後を目途に、10日間・動画をご視聴いただけます。
★ 大好評!通算第7回。今回はさらに1時間ボリュームUP!霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説いたします。
★ CVDの速度論からALDプロセス開発・製品応用へ。
★ CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説!
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2020年3月30日(月)  10:00~17:00
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  5F 第2講習室
会場地図
講師 東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣 幸浩 氏

【専門】 反応工学・材料工学
【主な研究内容】
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発
【活動】
・1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
・2007年より,化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
・2014年開催ALD国際学会実行委員長
【講師WebSite】
http://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp (研究室)
http://www2.scej.org/cre/cvd/index.html (CVD反応分科会)
受講料(税込)
各種割引特典
55,000円 ( S&T会員受講料 52,250円 ) S&T会員登録について
定価:本体50,000円+税5,000円
会員:本体47,500円+税4,750円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額27,500円)
備考※資料付、会場受講のみ昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
【WEBセミナー:アーカイブ受講対応セミナー】
 ※お申し込み画面では、【会場受講】または【WEBセミナー】のいずれかをご選択いただけます。
 ※【WEBセミナー】の申込み受付の締切日も、会場受講のセミナー開催日までです。ご注意ください。​

【WEBセミナー】をご選択の場合、以下の流れ・受講内容となります。
 ※会場で受講の場合、このサービスは付与されませんのでご注意ください。
・当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
・後日(開催終了後から10日以内を目途)に、ID,PWをメールにてご連絡申し上げます。
・視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
・視聴期間は10日間です。ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
・セミナー資料は印刷・郵送いたします。
・このセミナーに関する質問に限り、後日に講師にメールで質問可能です。(テキストに講師の連絡先を掲載)
【WEBセミナーをご希望の方は、動画視聴・インターネット環境をご確認ください。】
 セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。
 以下のサンプル動画が閲覧できるかを事前にご確認いただいたうえで、お申し込みください。 

 ■テスト視聴サイト■
 https://deliveru.jp/pretest5/
 IDとPWは同じです: livetest55

 ※推奨環境について※
 今回の動画配信は、株式会社ファシオ(http://www.vita-facio.jp/)の配信プラットフォーム
 「Deliveru」を利用しています。推奨環境・ご質問は下記URLをご参照ください。
 ◎推奨環境   :https://deliveru.jp/faq/#Q7
 ◎よくあるご質問:https://deliveru.jp/faq/

セミナー趣旨

 Atomic Layer Deposition(ALD、原子層堆積法)による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition(CVD、気相薄膜形成法)と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
 このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます。

<プログラム>
■第1部 薄膜作製の基礎
1.薄膜作製入門
 1.1 薄膜の種類と用途
 1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
 1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
 1.4 PVDとCVD、ALD

2.真空の基礎知識
 2.1 真空度とは
 2.2 平均自由行程とクヌッセン数
 2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計

3.PVDプロセス
 3.1 真空蒸着の基礎
 3.2 スパッタリング

■第2部 ALD/CVDプロセスの反応機構と速度論
4.ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
 4.1 CVDプロセスの素過程
 4.2 CVDプロセスの速度論
  4.2.1 製膜速度の温度依存性-表面反応律速と拡散律速
  4.2.2 製膜速度の濃度依存性-1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
 4.3 CVDプロセスの均一性

5.表面・気相の反応機構解析入門
 5.1 素反応機構と総括反応機構
 5.2 気相反応の第一原理計算と精度
 5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析

■第3部 ALDプロセスの基礎と展開
6.ALDプロセスの基礎
 6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
 6.2 ALDプロセスの理想と現実
  6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
  6.2.2 ALDプロセスの均一性
  6.2.3 ALDプロセスの量産性

7.ALDプロセスの応用と展開
 7.1 ALDプロセスの応用用途
 7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
  7.2.1 Quartz Crystal Microbalance(QCM)によるその場観察と最適化
  7.2.2 製膜遅れ時間(Incubation Time)の観測と最適化
 7.3 新しいALD技術
  7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
  7.3.2 Spatial ALD
  7.4 ALD国際会議について

  □質疑応答・名刺交換□