セミナー

ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向

SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド
また、ダイヤモンド半導体にはダイヤモンド半導体にしかない常識はずれな半導体特性も持っています
 そんなダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説します!
日時 2019年7月1日(月)  13:00~16:30
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 第1特別講習室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
43,200円 ( S&T会員受講料 41,040円 ) S&T会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で43,200円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額の21,600円)
備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

セミナー講師

金沢大学 ナノマテリアル研究所 徳田 規夫 氏  【講師情報】
【専門】 半導体工学
2016年 世界で初めて反転層ダイヤモンドMOSFETの開発に成功

セミナー趣旨

 ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔(NV)中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。                                               
 本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果(例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等)を中心に解説します。

セミナー講演内容

1.はじめに
 1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
 1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史

2.ダイヤモンドウェハ製造技術
 2.1 成長技術(高温高圧、プラズマCVD、熱フィラメントCVD)
 2.2 不純物ドーピング技術
 2.3 スライス・カット技術
 2.4 研磨技術

3.ダイヤモンドダイオード
 3.1 ショットキーバリアダイオード
 3.2 PN接合ダイオード
 3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)

4.ダイヤモンドトランジスタ
 4.1 MESFET
 4.2 JFET
 4.3 BJT
 4.4 MOSFET

5.その他のデバイス応用
 5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
 5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
 5.3 ダイヤモンド中 窒素-空孔(NV)中心を用いた量子デバイス/センサ

6.まとめと今後の展開

  □質疑応答・名刺交換□