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CMP技術および
その最適なプロセスを実現するための総合知識
~装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、
応用プロセス、研磨メカニズム~

■CMPの基礎知識、メカニズム■
■スラリー技術、パッド技術とその材料・開発・プロセス評価■
■デバイス応用事例、様々な基板研磨技術■
■CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル■

半導体デバイス製造において、今やなくてはならないキープロセスの全貌

スラリーの基礎・評価、パッドの役割と開発のヒントを提示

より最適なCMP工程を実現するために

研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して
日時 2019年5月30日(木)  10:30~16:30
会場 東京・千代田区駿河台 連合会館  4F 404会議室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で48,600円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額24,300円) 
備考※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
得られる知識・CMPに関わるあらゆる基礎知識~
 装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術
 材料・プロセス評価技術
 デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
・CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル
キーワード:CMP研磨パッド、スラリー、EPD、研磨ヘッド、FinFET、CuCMP、シリコンウエハ、サファイア、SiC

セミナー講師

(株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏
※元NEC/東京精密/ニッタハース/ディスコ
【講師紹介】

セミナー趣旨

 CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。
 半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。

セミナー講演内容

1.CMP装置
 1.1 CMP装置の構成
 1.2 ヘッド構造
 1.3 終点検出技術
 1.4 APC
 1.5 洗浄

2.CMPによる平坦化
 2.1 CMPによる平坦化工程の分類
 2.2 平坦化メカニズム

3.CMP消耗材料
 3.1 各種スラリーの基礎
 3.2 砥粒の変遷
 3.3 添加剤の役割
 3.4 スラリーの評価方法
 3.5 研磨パッドの基礎
 3.6 研磨パッドの評価方法
 3.7 コンディショナーの役割

4.CMPの応用
 4.1 最新配線構造とCMPの詳細
 4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
 4.3 3DNANDにおけるCMP
 4.4 ウエハ接合技術とCMP
 4.5 各種基板CMP

5.CMPの材料除去メカニズム
 5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
 5.2 新しいモデル~Feret径モデル
 5.3 Feret径モデルの数値検証
 5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
 5.5 パッド表面状態のマクロモデルによるドレス効果の表現

まとめ

  □質疑応答□