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半導体デバイス製造における
各プロセス技術の基礎、俯瞰と
最近の動向の把握

~前工程から後工程、デバイス・材料技術、信頼性への影響~
~何が変わってきたのか、何が求められているのか~
~半導体デバイス製造技術の総合知識~

個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化を俯瞰

最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術と
 それに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説

半導体デバイス製造技術の「これまで」「いま」「これから」を把握する
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2019年3月27日(水)  10:30~16:30
会場 東京・千代田区駿河台 連合会館  4F 404会議室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で48,600円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額24,300円) 
備考※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

セミナー講師

(株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏
※元NEC/東京精密/ニッタハース/ディスコ
【講師紹介】

セミナー趣旨

 半導体デバイスの製造方法を基礎から解説します。ウエハ上にトランジスタや配線を形成する前工程と、個片化してパッケージに組み立てる後工程それぞれについて、個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化まで俯瞰します。最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術とそれに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説します。

セミナー講演内容

1.半導体デバイスの基礎と最新動向
 1.1 AIとIoT
 1.2 トランジスタの基礎
 1.3 3次元トランジスタ
 1.4 メモリの基礎と3DNAND
 1.5 前工程と後工程

2.前工程
 2.1 形作りの基本
 2.2 半導体の基本モジュール
  2.2.1 STI
  2.2.2 トランジスタ
  2.2.3 配線
 2.3 個別プロセスの詳細
  2.3.1 酸化
  2.3.2 成膜
  2.3.3 リソグラフィー
  2.3.4 エッチング
  2.3.5 CMP
  2.3.6 洗浄

3.後工程
 3.1 パッケージの種類と構造
  3.1.1 リードフレームを用いるパッケージ
  3.1.2 パッケージ基板を用いるパッケージ
  3.1.3 ウエハレベルパッケージ
  3.1.4 SIP
 3.2 個別プロセスの詳細
  3.2.1 裏面研削
  3.2.2 ダイシング
  3.2.3 ダイボンディング
  3.2.4 ワイヤボンディング
  3.2.5 モールディング
  3.2.6 バンプ形成
 3.3 最新パッケージ技術
  3.3.1 FOWLP
  3.3.2 CoWoS
  3.3.3 部品内蔵基板

  □質疑応答□