セミナー 印刷

ダブルパターニング・マルチパターニング技術の基礎と
プロセスおよび材料の最適化

寸法ばらつき、重ね合わせ誤差、スペーサ欠陥、パターン欠落、、、etc.
複雑な工程上で発生する課題解決に向けたノウハウを学ぶ

★光リソグラフィ延命化の本命となる技術、ダブル/マルチパターニングの様々な課題への対応力を強化。
★光リソグラフィの技術トレンドも学べます。
日時 2019年3月27日(水)  13:00~16:30
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 研修室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
43,200円 ( S&T会員受講料 41,040円 ) S&T会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で43,200円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額の21,600円)
備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
得られる知識・リソグラフィ技術のトレンド
・ダブル/マルチパターニングの概要
・プロセス最適化の手法
対象・現在、リソグラフィ業務に従事しているから、これから微細加工技術に業務としてかかわる方
・光リソグラフィの基礎知識を有している方が好ましい。

セミナー講師

長岡技術科学大学 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座 
教授 博士(工学) 河合 晃 氏

兼務:アドヒージョン(株)(研究成果活用企業(大学ベンチャー))代表取締役
略歴:三菱電機(株)ULSI研究所での勤務を経て、現職にてリソグラフィ、コーティング、表面界面、プロセス技術の研究開発に従事。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。原著論文150報以上、国際学会100件、特許出願多数。【詳細紹介

セミナー趣旨

 今日の半導体デバイスの進展を支えてきた技術の一つに微細パターン形成技術がある。1985年代初めに数μmのオーダであった最小加工寸法は、現在数10 nmのレベルまで微細化され、30年で1/100にまで縮小された。すでにArF (193 nm) の波長を用いた光リソグラフィでは、高NA化は限界に達しており、レイリーの式におけるk1ファクターの縮小が可能となるダブル/マルチパターニングリソグラフィが光リソグラフィの延命化技術の本命となる。ダブル/マルチパターニング技術では、工程の複雑さ、寸法ばらつき、重ね合わせ、パターン分割などの様々な高精度化へ技術課題が存在する。
 本セミナーではこれらの課題解決に注目し、ダブル/マルチパターニング技術における基礎とプロセス材料の最適化について述べる。

セミナー講演内容

1.光リソグラフィーの技術トレンド
 1.1 パターン解像性(k1=0.25解像限界)
 1.2 微細化の延命化技術の概要
   (多層、位相シフト、超解像、液浸、ダブル/マルチパターニング)

2.ダブル/マルチパターニング
 2.1 k1<0.25の実現(多重露光との差)
 2.2 パターニングシステム
  2.2.1 リソ・エッチ・リソ・エッチ(LELE)型
  2.2.2 スペーサ/サイドウォール型
  2.2.3 簡易化プロセス(材料プロセス)
 2.3 高精度化技術
  2.3.1 寸法ばらつき抑制(要因分析と設計基準)
  2.3.2 重ね合わせ誤差低減(評価と計測手法)
  2.3.4 パターン分割ルール(効果的なパターン設計)
  2.3.5 光近接効果補正(OPC)(パターン形状の高精度化)
  2.3.6 エッチング(スペーサ欠陥の低減)
  2.3.7 パターン欠陥撲滅(歩留まり向上への取り組み)

3.質疑応答・技術相談
  (日頃のトラブル・研究開発の相談に対応します。)

[キーワード] 光リソグラフィ、ダブルパターニング、マルチパターニング、微細加工、半導体製造