書籍
サイトリニューアルをしました。
May 8, 2017
自動車の電動化に向けた、
シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向
■最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで■
受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
★ パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向！
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説！
このセミナーの受付は終了致しました。
| 日時 | 2023年3月28日（火） 10:30～16:30 |
|
|---|---|---|
| 会場 | Live配信セミナー(会社・自宅にいながら受講可能) |
会場地図 |
| 講師 | 筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏 【経歴・研究内容・専門・ご活動など】 1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学） 富士電機株式会社に入社。 1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事 1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事 1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事 2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。 2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員 【著書】 1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 （科学情報出版, 2019年9月） 2．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018) 3．（監修書）「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月） 4．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月） 5．（編集書）「世界を動かすパワー半導体 －IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ） 【受賞】 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月) 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月) 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年) 【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術 【WebSite】 http://power.bk.tsukuba.ac.jp/ https://youtu.be/VjorIIacez0 |
|
|
受講料(税込)
各種割引特典
|
49,500円
( E-Mail案内登録価格 46,970円 )
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円
|
|
|
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額24,750円)
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料( 定価：39,600円／E-mail案内登録価格 37,620円 ) 定価：本体36,000円＋税3,600円 E-mail案内登録価格：本体34,200円＋税3,420円 ※１名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
||
| 特典 | ■Live受講に加えて、アーカイブでも１週間視聴できます■ 【アーカイブの視聴期間】2023年3月29日(水)～4月4日(火)まで このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 | |
| 配布資料 | PDFデータでの配布のみ（印刷可／編集は不可） ※PDFデータは、セミナー開催日の2日前を目安にマイページからダウンロード可能になります。 | |
| オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。 | |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
このセミナーは終了しました。
セミナー趣旨
2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
セミナー講演内容
＜得られる知識・技術＞
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 最近のトピックスから
1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2-7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
5-2 銀または銅焼結接合技術
5-3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 最近のトピックスから
1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2-7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-7 GaN-HEMTの課題
4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
5-2 銀または銅焼結接合技術
5-3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
このセミナーは終了しました。
関連商品
セミナー
番号 A230330
開催日
03月30日
＜脱炭素社会に向けた電動化のコア技術＞電動化モータと回路基板の高電圧化・高周波化・熱対策に向けた、樹脂材料開発と絶縁品質評価技術
受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー
エレクトロニクス | 化学・材料
セミナー
番号 A230532
開催日
05月22日
BEV・HEVのPCU（パワーコントロールユニット）の基礎と自動車用パワーエレクトロニクス技術動向
受講可能な形式：【会場受講】
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー
エレクトロニクス
セミナー
番号 A230330
開催日
03月30日
＜脱炭素社会に向けた電動化のコア技術＞電動化モータと回路基板の高電圧化・高周波化・熱対策に向けた、樹脂材料開発と絶縁品質評価技術
受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー
エレクトロニクス | 化学・材料
セミナー
番号 A230532
開催日
05月22日
BEV・HEVのPCU（パワーコントロールユニット）の基礎と自動車用パワーエレクトロニクス技術動向
受講可能な形式：【会場受講】
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー
エレクトロニクス
当サイトはグローバルサイン社によりセキュリティ認証をされています。
SSL対応ページ（https）からの情報送信は暗号化により保護されます。
SSL対応ページ（https）からの情報送信は暗号化により保護されます。