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May 8, 2017
【Live配信(Zoom使用)セミナー】 or 【会場で受講】
ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎と高品質膜化および最新動向
～今、ホットで注目のＡＬＤを基礎から学びます。高品質化・最適化へ～
本セミナーは、【ZoomによるLive配信受講】か【会場受講】をご選択いただけます。
※Live配信の詳細につきましては下記「オンライン配信」の項目をご確認ください。
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★ 大好評！通算第9回。霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く６時間解説いたします。
★ CVDの速度論からALDプロセス開発・製品応用へ。
★ CVD／ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説！
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★ CVD／ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説！
このセミナーの受付は終了致しました。
| 日時 | 【会場受講】 2022年3月31日（木） 10:00～17:00 |
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| 【Live受講】 2022年3月31日（木） 10:00～17:00 |
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| 会場 | 【会場受講】 東京・港区浜松町 ビジョンセンター浜松町 6F H室 |
会場地図 |
| 【Live受講】 Live配信セミナー(会社・自宅にいながら受講可能) |
会場地図 | |
| 講師 | 東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣 幸浩 氏 【専門】 反応工学・材料工学 【主な研究内容】 ・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発 ・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発 ・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発 ・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発 ・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発 【活動】 ・1984年から現在に至るまで，CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事 ・2007年より，化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として，CVD関連技術の普及・発展に寄与 ・2014年開催ALD国際学会実行委員長 【講師WebSite】 http://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp （研究室） http://www2.scej.org/cre/cvd/index.html （CVD反応分科会） |
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受講料(税込)
各種割引特典
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55,000円
( E-Mail案内登録価格 52,250円 )
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円
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1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額27,500円)
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料( 定価：35,200円／E-mail案内登録価格：33,440円 ) 35,200円 ( E-mail案内登録価格 33,440円 ) 定価：本体32,000円＋税3,200円 E-mail案内登録価格：本体30,400円＋税3,040円 ※１名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
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| 配布資料 | ●会場受講者 製本テキスト(当日、会場にてお渡しいたします) ●Live配信受講者 製本テキスト(開催前日着までを目安に発送) ※セミナー資料はお申込み時のご住所へ発送させていただきます。 ※開催日の４～５日前に発送いたします。 ※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性があります。 | |
| オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。 ■最近よくあるお問い合わせ■ １．受講中の、カメラのON/OFF、マイクのON/OFFについて。 → カメラは任意です、カメラが付いていなくても受講できます（OFFで構いません）。 → 講義中はマイクOFF(ミュート)にしてください。質疑応答は、音声／チャット どちらでも質問ができます。 ２．他の受講者に、所属を知られたくない。 → Zoom入室の際、会社名を入れる必要はありません。名字（出席確認のため）だけで結構です。 ３．開催日までに振込み(入金)が間に合わない。 → 受講後でも構いません。お申込み時に振込み予定日を記入いただくか、決まり次第のご連絡で構いません。 | |
| 備考 | ※資料付 ※会場受講者のみ昼食付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
このセミナーは終了しました。
セミナー趣旨
Atomic Layer Deposition（ALD、原子層堆積法）による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition（CVD、気相薄膜形成法）と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
セミナー講演内容
＜得られる知識・技術＞
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます。
＜プログラム＞
■第１部 薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
1.1 薄膜の種類と用途
1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
1.4 PVDとCVD、ALD
２．真空の基礎知識
2.1 真空度とは
2.2 平均自由行程とクヌッセン数
2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
３．PVDプロセス
3.1 真空蒸着の基礎
3.2 スパッタリング
■第２部 ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
4.1 CVDプロセスの素過程
4.2 CVDプロセスの速度論
4.2.1 製膜速度の温度依存性－表面反応律速と拡散律速
4.2.2 製膜速度の濃度依存性－１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
4.3 CVDプロセスの均一性
５．表面・気相の反応機構解析入門
5.1 素反応機構と総括反応機構
5.2 気相反応の第一原理計算と精度
5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
■第３部 ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
6.2 ALDプロセスの理想と現実
6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
6.2.2 ALDプロセスの均一性
6.2.3 ALDプロセスの量産性
７．ALDプロセスの応用と展開
7.1 ALDプロセスの応用用途
7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
7.3 新しいALD技術
7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
7.3.2 Spatial ALD
7.4 ALD国際会議について
□質疑応答□
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます。
＜プログラム＞
■第１部 薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
1.1 薄膜の種類と用途
1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
1.4 PVDとCVD、ALD
２．真空の基礎知識
2.1 真空度とは
2.2 平均自由行程とクヌッセン数
2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
３．PVDプロセス
3.1 真空蒸着の基礎
3.2 スパッタリング
■第２部 ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
4.1 CVDプロセスの素過程
4.2 CVDプロセスの速度論
4.2.1 製膜速度の温度依存性－表面反応律速と拡散律速
4.2.2 製膜速度の濃度依存性－１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
4.3 CVDプロセスの均一性
５．表面・気相の反応機構解析入門
5.1 素反応機構と総括反応機構
5.2 気相反応の第一原理計算と精度
5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
■第３部 ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
6.2 ALDプロセスの理想と現実
6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
6.2.2 ALDプロセスの均一性
6.2.3 ALDプロセスの量産性
７．ALDプロセスの応用と展開
7.1 ALDプロセスの応用用途
7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
7.3 新しいALD技術
7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
7.3.2 Spatial ALD
7.4 ALD国際会議について
□質疑応答□
このセミナーは終了しました。
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セミナー
番号 B220526
開催日
05月26日
【Live配信（リアルタイム配信）】プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、及び量産化対応
【Live配信セミナー（会場受講なし）】※会社・自宅にいながら受講可能です※
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー
ビジネススキル・新規事業
エレクトロニクス | 化学・材料 | エネルギー・環境・機械
セミナー
番号 B220526
開催日
05月26日
【Live配信（リアルタイム配信）】プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、及び量産化対応
【Live配信セミナー（会場受講なし）】※会社・自宅にいながら受講可能です※
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー
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