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May 8, 2017
【Live配信(Zoom使用)セミナー】 or 【会場で受講】
ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎と高品質膜化および最新動向
～今、ホットで注目のＡＬＤを基礎から学びます。高品質化・最適化へ～
本セミナーは、【ZoomによるLive配信受講】か【会場受講】をご選択いただけます。
※Live配信の詳細につきましては下記「オンライン配信」の項目をご確認ください。
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★ 大好評！通算第８回。霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く６時間解説いたします。
★ CVDの速度論からALDプロセス開発・製品応用へ。
★ CVD／ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説！
★ CVDの速度論からALDプロセス開発・製品応用へ。
★ CVD／ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説！
| 日時 | 【会場受講】 2021年3月29日（月） 10:00～17:00 |
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| 【Live受講】 2021年3月29日（月） 10:00～17:00 |
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| 会場 | 【会場受講】 東京・品川区大井町 きゅりあん 5F 研修室 |
会場地図 |
| 【Live受講】 Live配信セミナー（リアルタイム配信） ※会社・自宅にいながら学習可能です※ |
会場地図 | |
| 講師 | 東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣 幸浩 氏 【専門】 反応工学・材料工学 【主な研究内容】 ・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発 ・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発 ・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発 ・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発 ・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発 【活動】 ・1984年から現在に至るまで，CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事 ・2007年より，化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として，CVD関連技術の普及・発展に寄与 ・2014年開催ALD国際学会実行委員長 【講師WebSite】 http://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp （研究室） http://www2.scej.org/cre/cvd/index.html （CVD反応分科会） |
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受講料(税込)
各種割引特典
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55,000円
( E-Mail案内登録価格 52,250円 )
S&T会員登録について
定価：本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円
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E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額27,500円)
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料( 定価：49,500円／E-mail案内登録価格：46,970円 ) 49,500円 ( E-mail案内登録価格 46,170円 ) 定価：本体45,000円＋税4,500円 E-mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円 ※１名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
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| 配布資料 | ●会場受講者 製本テキスト(当日、会場にてお渡しいたします) ●Live配信受講者 製本テキスト(開催前日着までを目安に発送) ※セミナー資料はお申込み時のご住所へ発送させていただきます。 ※開催日の４～５日前に発送いたします。 ※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性が ありますこと、ご了承下さい。 | |
| オンライン配信 | 【ZoomによるLive配信】 ・本セミナーのLive配信はビデオ会議ツール「Zoom」を使用いたします。 ・当日のZoomのURLは開催3日前頃までにご連絡いたします。 ・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。講師へのご質問も可能です。 ・お申込みの際は、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして接続できるか等ご確認下さい。 ・開始時に視聴できないなどのお問い合わせが増えています。予めZoomのテスト確認を必ずお願いいたします。 Zoomのテスト http://zoom.us/test 音声に関するQ&A https://support.zoom.us/hc/ja/articles/115002262083 Zoomのアプリの他、ブラウザによる視聴環境について https://support.zoom.us/hc/ja/articles/214629443-Zoom Internet Explorer 10以降 Chromium Edge 80以降 Google Chrome 53.0.2785以降 Safari 10.0.602.1.50以降 Firefox 76以降 | |
| 備考 | ※資料付 ※会場受講者のみ昼食付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
セミナー趣旨
Atomic Layer Deposition（ALD、原子層堆積法）による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition（CVD、気相薄膜形成法）と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
セミナー講演内容
＜得られる知識・技術＞
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます。
＜プログラム＞
■第１部 薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
1.1 薄膜の種類と用途
1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
1.4 PVDとCVD、ALD
２．真空の基礎知識
2.1 真空度とは
2.2 平均自由行程とクヌッセン数
2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
３．PVDプロセス
3.1 真空蒸着の基礎
3.2 スパッタリング
■第２部 ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
4.1 CVDプロセスの素過程
4.2 CVDプロセスの速度論
4.2.1 製膜速度の温度依存性－表面反応律速と拡散律速
4.2.2 製膜速度の濃度依存性－１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
4.3 CVDプロセスの均一性
５．表面・気相の反応機構解析入門
5.1 素反応機構と総括反応機構
5.2 気相反応の第一原理計算と精度
5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
■第３部 ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
6.2 ALDプロセスの理想と現実
6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
6.2.2 ALDプロセスの均一性
6.2.3 ALDプロセスの量産性
７．ALDプロセスの応用と展開
7.1 ALDプロセスの応用用途
7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
7.3 新しいALD技術
7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
7.3.2 Spatial ALD
7.4 ALD国際会議について
□質疑応答□
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます。
＜プログラム＞
■第１部 薄膜作製の基礎
１．薄膜作製入門
1.1 薄膜の種類と用途
1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
1.4 PVDとCVD、ALD
２．真空の基礎知識
2.1 真空度とは
2.2 平均自由行程とクヌッセン数
2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
３．PVDプロセス
3.1 真空蒸着の基礎
3.2 スパッタリング
■第２部 ALD／CVDプロセスの反応機構と速度論
４．ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
4.1 CVDプロセスの素過程
4.2 CVDプロセスの速度論
4.2.1 製膜速度の温度依存性－表面反応律速と拡散律速
4.2.2 製膜速度の濃度依存性－１次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
4.3 CVDプロセスの均一性
５．表面・気相の反応機構解析入門
5.1 素反応機構と総括反応機構
5.2 気相反応の第一原理計算と精度
5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
■第３部 ALDプロセスの基礎と展開
６．ALDプロセスの基礎
6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
6.2 ALDプロセスの理想と現実
6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
6.2.2 ALDプロセスの均一性
6.2.3 ALDプロセスの量産性
７．ALDプロセスの応用と展開
7.1 ALDプロセスの応用用途
7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
7.2.1 Quartz Crystal Microbalance（QCM）によるその場観察と最適化
7.2.2 製膜遅れ時間（Incubation Time）の観測と最適化
7.3 新しいALD技術
7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
7.3.2 Spatial ALD
7.4 ALD国際会議について
□質疑応答□
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