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【Live配信(リアルタイム配信)】
【出席者特典:アーカイブ付(5日間視聴OK)】

自動車の電動化に向けた、
SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向

■最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで■

“セミナーの出席者に限り”、特典としてアーカイブ(5日間視聴可能)も付いていますので、
繰り返しの視聴学習が可能です。
(※原則編集は行いません。3営業日以内を目途にZoomのURLまたは当社サイトのマイページからご視聴いただけます。)

本セミナーは、Zoomによる【Live配信受講】のみです。会場開催はございません。
※詳細につきましては下記「ライブ配信」の項目をご確認ください。
★ パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向!
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2021年1月20日(水)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(リアルタイム配信) ※会社・自宅にいながら学習可能です※  
会場地図
講師 筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【経歴・活動など】
1984年 早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【受賞】
1.日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
2.電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
3.電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計,解析技術
【講師WebSite】
http:// power.bk.tsukuba.ac.jp/
受講料(税込)
各種割引特典
55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録について
定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録価格:本体47,500円+税4,750円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須​/1名あたり定価半額27,500円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:受講料( 定価:49,500円/E-Mail案内登録価格 46,970円 ) 

49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) 
 定価:本体45,000円+税4,500円
 E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
特典※出席参加者に限り、アーカイブ:録画映像(5日間視聴可)も付いています。繰り返しの視聴学習が可能!
(※原則編集は行いません。3営業日以内を目途にZoomのURLまたは当社サイトのマイページからご視聴いただけます。)
配布資料PDFデータ(印刷可/編集は不可)
※PDFデータは、セミナー開催日の2日前を目安にマイページからダウンロード可能になります。
オンライン配信【ZoomによるLive配信】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。講師へのご質問も可能です。
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 音声に関するQ&A
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備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

 2020年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
 しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

<プログラム>
1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに?

 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
 1.5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
 1.6 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
 2.2 IGBT開発のポイント
 2.3 IGBT特性改善を支える技術
 2.4 薄ウェハ化の限界
 2.5 IGBT特性改善の次の一手
 2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに?
 2.7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 なぜSiCパワーデバイスなのか
 3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
 3.5 SiCウェハができるまで
 3.6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.7 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
 3.8 SiC-MOSFET最近のトピックス
 3.9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
 3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
 3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.12 ショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵SiC-MOSFET  

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
 4.5 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
 4.10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?

5.SiCパワーデバイス高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5.3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
 5.4 SiCモジュールに必要な実装技術

6.まとめ

  □質疑応答□