2020年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
　しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

＜得られる知識・技術＞
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
　1.1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　1.2 パワー半導体の種類と基本構造
　1.3 パワーデバイスの適用分野
　1.4 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
　1.5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1.6 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーデバイス（Si-IGBT）の進展と課題
　2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2.2 IGBT開発のポイント
　2.3 IGBT特性改善を支える技術
　2.4 薄ウェハ化の限界
　2.5 IGBT特性改善の次の一手
　2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに？
　2.7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3.1 半導体デバイス材料の変遷
　3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3.3 なぜSiCパワーデバイスなのか
　3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3.5 SiCウェハができるまで
　3.6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
　3.7 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3.8 SiC-MOSFET最近のトピックス
　3.9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
　3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
　3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3.12 ショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵SiC-MOSFET　 

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4.2 GaNデバイスの構造
　4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4.5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　4.6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4.7 GaN-HEMTの課題
　4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
　4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
　4.10 縦型SiCデバイス　対　縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに？

５．SiCパワーデバイス高温対応実装技術
　5.1 高温動作ができると何がいいのか
　5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5.3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
　5.4 SiCモジュールに必要な実装技術

６．まとめ

　　□質疑応答□