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EUVリソグラフィ最新概論
EUVL 用材料・技術の進化と半導体製造の動向および展望

~AI・5G時代を支える極端紫外線露光技術~
光源、多層膜、反射光学系、反射型マスク技術、レジスト、ペリクル・・etc.

5GやAI対応で益々の高速・大容量・低電力・軽量・小型可が求められる半導体にEUVLが活用され始めた。
iPhone12を筆頭にEUVLを用いた製品も市場に続々と登場! EUVL導入の効果とは?その技術の概要とは? 
次期システム・高NA機の開発概要とは?
日時 2020年12月21日(月)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(リアルタイム配信) ※会社・自宅にいながら学習可能です※  
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受講料(税込)
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  ・リアルタイムで講師へのご質問も可能です。
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備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
得られる知識
国内外での半導体製造の実情。今後の半導体製造の動向。
EUVL用プラズマ光源・反射光学系・反射型マスク・レジスト材料・ステージなどの技術内容。
 
受講対象
レジスト・マスク・光源・検査装置等の要素技術開発に携わる企業。
数式等は一切なく、技術をVisualに説明する。
 

セミナー講師

兵庫県立大学 名誉教授 工学博士 木下 博雄 氏
【専門】X線光学、微細加工 【講師紹介

セミナー趣旨

 Covid-19と米中貿易摩擦の煽りを受け、世の中全体に不景気感が広がっているが、iPhone 12の登場は本格的な5G世代の幕開けを宣言するに十分な効果をもたらした。とくに、AI対応での高速・大容量・低電力に加え、軽量・小型の実現には極端紫外線露光技術の寄与が大きい。ようやく、半導体素子の量産に使われ始めた本技術について詳述する。

セミナー講演内容

1.半導体製造の現状
 1.1 微細化の効果
 1.2 EUVLの概要と導入の効果
 1.3 EUVL導入例
 1.4 微細化の将来

2.極端紫外線露光の概要と歴史

3.個別技術の進展

 3.1 光源開発
   1) 要求性能
    2) LPP光源の現状と課題
 3.2 多層膜技術
    1) 多層膜の概要と設計法
    2) 多層膜の成膜技術
    3) 多層膜の評価
 3.3 反射光学系
    1) 反射光学系の要求条件
    2) 反射光学系の設計法
    3) ミラーの加工法と評価
    4) ミラー光学系の合わせ法
 3.4 反射型マスク技術
     1) 反射型マスクの要求条件
     2) マスクの構造と製作法
     3) マスク検査技術
 3.5 EUVレジスト
     1) EUVレジストの要求条件
     2) レジストの現状
 3.6 ペリクル技術

4.次期システム・高NA機の開発概要

5.今後の課題

  
  □質疑応答□

[キーワード]半導体製造技術、極端紫外線リソグラフィー、反射光学系、多層膜
[参考書]Hiroo Kinoshita “Extreme Ultraviolet Lithography-Principles and Basic Technologies Lambert社2016年発行 Amazonにて購入可