セミナー 印刷

【Live配信(Zoom使用)限定セミナー】

リソグラフィの基礎、半導体製造における
レジスト材料技術と今後の展望

■リソグラフィ、レジスト材料技術のすべて。■

本セミナーは、Zoomによる【Live配信受講】のみです。会場開催はございません。
※詳細につきましては下記「オンライン配信」の項目をご確認ください。
★ ますます要求が高くなる半導体の高集積化。近づく5nmロジックノード。
★ 半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎、レジスト材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新動向
★ 今後の展望、市場動向についても解説。
日時 2020年10月9日(金)  10:30~16:30
会場 Live配信セミナー(リアルタイム配信) ※会社・自宅にいながら学習可能です※  
会場地図
講師 大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 遠藤 政孝 氏【元・パナソニック(株)】
【経歴・専門】

1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料、EUVレジストの研究開発に従事。
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( S&T会員受講料 46,970円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,700円+税4,270円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額24,750円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:受講料( 定価:35,200円/S&T会員 33,440円 )

35,200円 ( S&T会員受講料 33,440円 ) 
 定価:本体32,000円+税3,200円
 会員:本体30,400円+税3,040円
1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
配布資料製本テキスト(開催前日着までを目安に発送)
 ※セミナー資料はお申込み時のご住所へ発送させていただきます。
 ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
  開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
オンライン配信【Live配信(Zoom使用)セミナー】
 ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったLive配信セミナーとなります。
 ・お申込み受理のご連絡メールに接続テスト用のURL、ミーティングID​、パスワードが記されております。
 「Zoom」のインストールができるか、接続できるか等をご確認下さい。

 ・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
 ・開催日時にリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
 ・タブレットやスマートフォンでも視聴できます
備考※資料付(事前送付)
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。

セミナー趣旨

 メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードとなっています。
 本講演では、半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎・最新技術、および、レジスト材料の基礎と、最新のロードマップに基づいたレジスト材料の要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめます。

セミナー講演内容

<得られる知識、技術>
リソグラフィの基礎知識・最新技術、レジスト材料の基礎知識、レジスト材料の要求特性、レジスト材料の課題と対策、レジスト材料の最新技術・ビジネス動向が得られます。

<プログラム>
1.リソグラフィの基礎 
 1.1 露光

  1.1.1 コンタクト露光
  1.1.2 ステップ&リピート露光
  1.1.3 スキャン露光
 1.2 照明方法
  1.2.1 斜入射(輪帯)照明
 1.3 マスク
  1.3.1 位相シフトマスク
  1.3.2 光近接効果補正(OPC)
  1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
 1.4 レジストプロセス
  1.4.1 反射防止プロセス
  1.4.2 ハードマスクプロセス
  1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術 
  1.5 ロードマップ
  1.5.1 IRDSロードマップ
   1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
   1.5.1.2 レジスト、微細加工用材料への要求特性
  1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢

2.レジスト材料の基礎
 2.1 溶解阻害型レジスト

  2.1.1 g線レジスト
  2.1.2 i線レジスト
 2.2 化学増幅型レジスト
  2.2.1 KrFレジスト
  2.2.2 ArFレジスト
  2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術

3.リソグラフィ、レジスト材料の最新技術
 3.1 液浸リソグラフィ 

  3.1.1 液浸リソグラフィ用トップコート
  3.1.2 液浸リソグラフィ用レジスト  
   3.1.2.1 液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
   3.1.2.2 液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
 3.2 ダブル/マルチパターニング
  3.2.1 リソーエッチ(LE)プロセス
  3.2.2 セルフアラインド(SA)プロセス
 3.3 EUVリソグラフィ
  3.3.1 EUVレジストの要求特性
  3.3.2 EUVレジストの設計指針
   3.3.2.1 EUVレジスト用ポリマー
   3.3.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
  3.3.3 EUVレジストの課題と対策
   3.3.3.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
   3.3.3.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
  3.3.4 最新のEUVレジスト
   3.3.4.1 分子レジスト
   3.3.4.2 ネガレジスト
   3.3.4.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
   3.3.4.4 無機/メタルレジスト
 3.4 自己組織化(DSA)リソグラフィ
  3.4.1 グラフォエピタキシー
  3.4.2 ケミカルエピタキシー
  3.4.3 高χ(カイ)ブロックコポリマー
 3.5 ナノインプリントリソグラフィ
  3.5.1 加圧方式
  3.5.2 光硬化方式
   3.5.2.1 光硬化材料
   3.5.2.2 離型剤

4.レジスト材料の技術展望、市場動向

  □質疑応答□