セミナー 印刷

フレキシブルディスプレイの最新トレンドと
ALD(原子層堆積)技術
~酸化物薄膜トランジスタの基礎からALD技術・応用まで~

【IGZOなど酸化物半導体やLTPS(低温多結晶シリコン半導体)など高性能薄膜トランジスタの作製技術】
【フレキシブルディスプレイに特有な信頼性劣化現象や高性能化技術の最新動向】

★ 低温多結晶薄膜トランジスタ(LTPS)、酸化物薄膜トランジスタを徹底学習!
★ 注目の原子層堆積(ALD)技術やフレキシブルディスプレイの最新動向も解説いたします。
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2019年10月29日(火)  10:30~16:30
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 研修室
会場地図
講師 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 教授 浦岡 行治 氏 【元・パナソニック(株)】

【経歴、活動など】

1985年 松下電器産業株式会社(現パナソニック)半導体研究センター
1995年 同社 液晶開発センター
2009年 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 教授
・応用物理学会フェロー
・IEEE シニアメンバー
・IEEE/EDS 関西支部チェアー
・IEEE/AMFPD 実行委員長
・薄膜材料デバイス研究会組織委員
【WebSite】
https://mswebs.naist.jp/LABs/uraoka/PUBLIC/top/top.html
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( S&T会員受講料 47,020円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税4,500円
会員:本体42,750円+税4,270円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額24,750円)
備考※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

セミナー趣旨

 フレキシブルディスプレイの開発が加速されている。本セミナーでは、その発展を支えるコア技術として、IGZOなど酸化物半導体やLTPS(低温多結晶シリコン半導体)などを基本材料とした高性能薄膜トランジスタの作製技術について詳しく紹介する。また、フレキシブルディスプレイに特有な信頼性劣化現象や高性能化技術の最新動向について、プロにも初学者にもわかりやすく説明する。
 さらに、ALD(原子層堆積)技術の基礎とその応用技術についても紹介する。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
・ディスプレイの基本原理
・半導体工学の基礎
・酸化物薄膜トランジスタの基礎
・低温多結晶シリコンの基礎
・信頼性評価技術の基礎
・ディスプレイ材料分析技術の基礎

<プログラム>
1.ディプレイの歴史

2.ディスプレイの基本動作原理

3.低温多結晶薄膜トランジスタ(LTPS)の基礎

 3.1 シリコン薄膜の結晶化技術
 3.2 低温多結晶薄膜トランジスタのプロセス技術
 3.3 低温多結晶薄膜トランジスタデバイス構造
 3.4 低温多結晶薄膜トランジスタ高性能化技術
 3.5 低温多結晶薄膜トランジスタの高信頼性化技術
 3.6 LTPSの新規応用技術

4.酸化物薄膜トランジスタの基礎
 4.1 酸化物薄膜トランジスタの基礎物性
 4.2 酸化物薄膜の低温形成技術
 4.3 酸化物薄膜トランジスタのプロセス技術
  4.3.1 真空プロセス技術
  4.3.2 液体(印刷)プロセス
 4.4 酸化物薄膜トランジスタのデバイス構造
 4.5 酸化物薄膜トランジスタの高性能化技術
 4.6 酸化物薄膜トランジスタの高信頼性化技術

5.原子層堆積(ALD)技術
 5.1 原子層堆積(ALD)技術の基礎
 5.2 原子層堆積(ALD)技術により形成した薄膜素子の特性

6.フレキシブルディスプレイの最新動向

  □質疑応答・名刺交換□