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リソグラフィの基礎、半導体製造における
レジスト材料技術と今後の展望

■リソグラフィ、レジスト材料技術のすべて。■

★ ますます要求が高くなる半導体の高集積化。近づく5nmロジックノード。
★ 半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎、レジスト材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新動向

★ 今後の展望、市場動向についても解説。
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日時 2019年8月26日(月)  10:30~16:30
会場 東京・大田区平和島 東京流通センター 2F  第4会議室
会場地図
講師 大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 遠藤 政孝 氏【元・パナソニック(株)】
【経歴・専門】
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィプロセス、レジスト材料、微細加工用材料の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料の研究開発に従事。
受講料(税込)
各種割引特典
48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で48,600円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額24,300円)
備考※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

セミナー趣旨

 メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードも近づいている。本講演では、これらの半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎、および、レジスト材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新の動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。

セミナー講演内容

<得られる知識、技術>
 リソグラフィ・レジスト材料の基礎知識、レジスト材料の要求特性、レジスト材料の課題と対策、レジスト材料の最新技術・ビジネス動向が得られます。

<プログラム>
1.リソグラフィの基礎
 1.1 露光

  1.1.1 コンタクト露光
  1.1.2 ステップ&リピート露光
  1.1.3 スキャン露光
 1.2 照明方法
  1.2.1 斜入射(輪帯)照明
 1.3 マスク
  1.3.1 位相シフトマスク
  1.3.2 光近接効果補正(OPC)
  1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
 1.4 レジストプロセス
  1.4.1 反射防止プロセス
  1.4.2 ハードマスクプロセス
  1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術 
 1.5 ロードマップ

2.レジスト材料の基礎   
 2.1 溶解阻害型レジスト

  2.1.1 g線レジスト
  2.1.2 i線レジスト
 2.2 化学増幅型レジスト 
  2.2.1 KrFレジスト
  2.2.2 ArFレジスト
  2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術

3.レジスト材料の展開
 3.1 液浸リソグラフィ
 3.2 ダブル/マルチパターニング

  3.2.1 リソーエッチ(LE)プロセス
  3.2.2 セルフアラインド(SA)プロセス
 3.3 EUVリソグラフィ
  3.3.1 分子レジスト
  3.3.2 ネガレジスト
  3.3.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
  3.3.4 無機/メタルレジスト
 3.4 自己組織化(DSA)リソグラフィ
  3.4.1 グラフォエピタキシー
  3.4.2 ケミカルエピタキシー
  3.4.3 高χ(カイ)ブロックコポリマー
 3.5 ナノインプリントリソグラフィ
  3.5.1 加圧方式
  3.5.2 光硬化式

4.レジスト材料の技術展望、市場動向

  □質疑応答・名刺交換□