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<Atomic Layer Deposition>
ALD(原子層堆積法)の基礎・表面反応と高品質薄膜形成

★ 注目のALD(原子層堆積法)による高品質薄膜形成を表面反応メカニズムから解説します!
LSIの他、MEMS、太陽電池、機械部品、各種製品へのコーティングなどへの応用を見込むALDとは!
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2018年7月20日(金)  13:00~16:30
会場 東京・港区浜松町 芝エクセレントビル B1F KCDホール  
会場地図
講師 山形大学 大学院理工学研究科 教授 廣瀬 文彦 氏

【経歴・研究内容・専門】
1992年3月 東北大学 大学院工学研究科 修了 博士(工学)
現在 山形大学 大学院理工学研究科 教授 
専門 半導体薄膜製造、界面制御太陽電池
主な研究 プラズマプロセスを用いた室温原子層堆積法の研究
【講師WebSite】
http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/
受講料(税込)
各種割引特典
43,200円 ( S&T会員受講料 41,040円 ) S&T会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で43,200円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額21,600円)
備考※資料付

セミナー趣旨

 原子層堆積法は、ナノの酸化物薄膜を複雑形状にもコンフォーマルで形成できることから、LSI製造に利用されています。近年では、LSIのみならず、MEMS、太陽電池、機械部品、PETボトルへのコーティングにも活用が検討されています。原子層堆積での高品質膜の達成のため、表面反応を中心とした反応機構の理解と、モニタリング、そして適切な材料選択、プロセス調整の知識が欠かせません。
 山形大学ではこれまで原子層堆積法のその場観察と低温化研究を進めてまいりましたが、我々の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした機構理解の達成を目標とします。さらに最新研究成果として3D-CoolALD(室温三次元成膜ALD)による各種酸化物膜の室温形成技術について紹介いたします。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
吸着反応機構、表面酸化、モニタリング技術、プロセス調整を学ぶことが出来ます。

<プログラム> ※下記プログラムは仮です。
1.原子層堆積法の基礎
 1.1 原子層堆積法とは?
 1.2 原子層堆積の開発の歴史
 1.3 熱ALDとプラズマALD
 1.4 事例紹介

2.原子層堆積における表面反応機構
 2.1 原料分子の吸着反応 ~ラングミュア―型解離吸着~
 2.2 飽和吸着のモニタリング手法
 2.3 プリカーサーの選択
 2.4 吸着表面の酸化反応
 2.5 酸化種の選択
 2.6 酸化物表面と水の反応
 2.7 酸化物表面と水素脱離
 2.8 フォーミングアニールと界面層の問題
 2.9 不純物モニタリング法

3.山形大学開発3D-CoolALD(室温三次元成膜ALD)のご紹介
 3.1 SiO2の室温形成事例とペットボトル・アクリル樹脂コーティング
 3.2 生体親和膜TiO2の室温形成事例とペットボトルコーティング
 3.3 Al2O3の室温形成事例と防蝕コーティング応用
 3.4 HfO2の室温形成事例

  □質疑応答・名刺交換□