研究・技術・事業開発のためのセミナー/書籍

セミナーセミナー番号:B180740(パワーデバイス)

エレクトロニクス | 化学・材料
セミナー
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

徹底解説 パワーデバイス

~構造、結晶/基板、製造技術、用途展開を基礎から最新動向まで総まくり~
Siパワーデバイス、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス技術動向

本セミナーは都合により中止となりました。 (7/23 更新)
製造技術動向から開発動向、材料価格、用途展開等など、パワーデバイスに関する話題を幅広く!
Siパワーデバイス進化史と将来展望及びSiCやGaN等ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題を徹底解説
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2018年7月30日(月)  10:30~16:30
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  6F 中会議室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で48,600円 (2名ともS&T会員登録必須/1名あたり定価半額24,300円) 
備考資料・昼食付
得られる知識・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と将来展望
・SiCパワーデバイスの克服すべき課題
・GaNパワーデバイスの克服すべき課題
・その他のワイドギャップ半導体デバイスの課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
対象・パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
・初心者の受講でも問題ありません
このセミナーは終了しました。

趣旨

 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
 Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

プログラム

1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
 1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
 1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
 1.3 パワーデバイスによる電力変換

2.パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
 2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
 2.2 Siパワーデバイスの高性能化

3.ワイドギャップ半導体パワーデバイスへの期待
 3.1 ワイドギャップ半導体の優位性
 3.2 ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット

4.Siパワーデバイスの課題
 4.1 Siウエハの大口径化
 4.2 微量不純物の制御

5.SiCパワーデバイスの課題
 5.1 SiC結晶製造の課題
 5.2 SiCパワーチップ製造の課題
 5.3 パワーモジュール化の課題

6.GaNその他のワイドギャップ半導体パワーデバイスの課題
 6.1 GaNパワーデバイスの課題
 6.2 その他のワイドギャップ半導体パワーデバイスの課題

7.パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
 7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
 7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

□ 質疑応答 □
このセミナーは終了しました。

関連商品

当サイトはグローバルサイン社によりセキュリティ認証をされています。
SSLページ(https)からの情報送信は暗号化技術により保護されます。