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セミナーセミナー番号:S180701(ドライエッチング2日間)

先端技術・エレクトロニクス | 化学・材料技術 | 環境技術、環境ビジネス
セミナー
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

<ドライエッチング:2日間特別セミナー>
ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応制御/
最新動向とプラズマダメージ、アトミックレイヤーエッチング

【1日目】 ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応の制御
【2日目】 ドライエッチングの最新動向とプラズマダメージ/アトミックレイヤーエッチング

~ドライエッチングのプロと材料メーカーエンジニアのための特別講座~

このページはドライエッチング2日間セミナーのページです。1日目のみの受講はこちら。2日目のみの受講はこちら
※1日目と2日目で別の方(代理の方)のご出席も可能です。[但しテキストは1冊です。ご申告は不要です。]

★ 大好評 累計第6回!ドライエッチング技術のすべて。1日目は午後~スタート、2日目は13:00までで学べます。
★ 半導体の生産で実際に使われているドライエッチングプロセス・装置がわかる!
★ 極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムがわかる!
★ 今注目でホットなアトミックレイヤーエッチング(ALE)を詳説、プラズマダメージの発生メカニズムから対策も解説!
日時 2018年7月5日(木)  13:00~16:30
2018年7月6日(金)  9:30~13:00
会場 東京・大田区平和島 東京流通センター 2F  第1会議室
会場地図
東京・大田区平和島 東京流通センター 2F  第1会議室
会場地図
講師 ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー 野尻 一男 氏
【経歴】
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。2000年ラムリサーチ(株) 入社、取締役・CTOに就任。2017年ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー。

1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。
1994年「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。
受講料(税込)
各種割引特典
64,800円 ( S&T会員受講料 61,560円 ) S&T会員登録について
定価:本体60,000円+税4,800円
会員:本体57,000円+税4,560円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で64,800円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額32,400円)
備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

プログラム

■【1日目:基礎コース】2018年7月5日(木) 13:00~16:30
ドライエッチング技術の基礎とプラズマ・表面反応の制御
1日目のみお申込みされる方はこちら
<趣旨>
 ドライエッチング技術は、半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プラズマを用いた物理化学反応でエッチングが進むため、電気、物理、化学の総合的な知識を必要とし、かつチャンバー内で起こっている現象が複雑なため理解を難しくしています。特に半導体材料メーカーのエンジニアの方々が、自分たちの技術との関連でドライエッチングを理解することはきわめて難しい状況にあります。
 本セミナーではドライエッチングのメカニズム、各種材料のエッチング、およびドライエッチング装置について分かりやすく解説します。セミナーでは、まずドライエッチングの基礎から始め、極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムが容易に理解できるよう解説します。各種材料のエッチングでは単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法について詳細に解説します。ここではプラズマからから被エッチ膜表面への入射種とエッチ速度、選択比、形状との相関関係、およびこれら加工特性の制御手法について解説します。また、半導体製造に実際に使われている各種ドライエッチング装置に関し、プラズマ発生原理や特徴について解説するとともに、プロセスを制御する上で重要な役割を担っている静電チャックについても解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、入門としても、またドライエッチングのプロを目指す方にも最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの全体像を理解し、また自分たちの技術がどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

<得られる知識・技術>
・ドライエッチングのメカニズムから応用まで、難しい数式を使うことなく全容を理解することができる。
・ドライエッチングを支配するパラメータとその制御法が分かり、エッチングプロセスを組立てる上での指針を得ることができる。
・半導体の生産で実際に使われているドライエッチングプロセス・装置について学ぶことができ、実践的な知識が身に付く。

<プログラム>
1.はじめに ~半導体集積回路の発展とドライエッチング技術~
 1.1 ドライエッチングの概要
 1.2 LSIの高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2.ドライエッチングのメカニズム
 2.1 プラズマの基礎
 2.2 ドライエッチングの反応過程
 2.3 異方性エッチングのメカニズム
 2.4 エッチ速度

3.各種材料のエッチング
 3.1 ゲートエッチング

  3.1.1 選択比を支配するキーパラメータ
  3.1.2 CDのウェハ面内均一性の制御
  3.1.3 Poly-Si、WSi2/Poly-S、W/Poly-Siゲートエッチング
 3.2 SiO2エッチング
  3.2.1 SiO2エッチングのメカニズム
  3.2.2 選択比を支配するキーパラメータ
  3.2.3 形状制御
  3.2.4 高アスペクト比ホールエッチング、SACエッチング
 3.3 配線エッチング
  3.3.1 Al配線エッチング
  3.3.2 Al配線の防食処理技術
  3.3.3 その他の配線材料のエッチング

4.ドライエッチング装置
 4.1 CCPプラズマエッチャー
 4.2 マグネトロンRIE
 4.3 ECRプラズマエッチャー
 4.4 ICPプラズマエッチャー
 4.5 静電チャック


  □質疑応答・名刺交換□
 

■【2日目:最新動向コース】2018年7月6日(金) 9:30~13:00
ドライエッチングの最新技術動向とプラズマダメージおよびアトミックレイヤーエッチング
2日目のみお申込みされる方はこちら
<趣旨>
 半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング(ALE)が必要となってきています。本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、プラズマダメージ、およびALEについて分かりやすく解説します。
 最新技術動向では、Low-k Cuダマシンエッチング、メタルゲート/High-kエッチング、FinFETエッチング、3D IC用エッチング技術、さらには最近注目されているマルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。
 プラズマダメージに関してはチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置のチャージアップアップ評価について解説し、プロセス面、ハードウェア面、デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で実際に起こった不良事例も紹介します。
 ALEに関しては最初に原理と特徴について解説し、次にSi やGaN、AlGaNのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには10nmロジックデバイスへの適用が始まったSiO2のALEについて詳細に解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

<得られる技術・知識>
・マルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングを始めとした、ドライエッチングの最新の技術動向を学ぶことができる。
・プラズマダメージの発生メカニズムから対策まで、その全容を理解することができる。
・最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング(ALE)の原理、応用について学ぶことができる。

<プログラム>
1.最新技術動向
 1.1 Low-k Cuダマシンエッチング
 1.2 メタルゲート/ High-kエッチング
 1.3 FinFETエッチング
 1.4 マルチパターニング

  1.4.1 SADP
  1.4.2 SAQP
 1.5 3D NAND/DRAM用HARCエッチング
 1.6 3D IC用エッチング技術


2.ドライエッチングダメージ
 2.1 Si表面に導入されるダメージ
 2.2 チャージアップダメージ

  2.2.1 チャージアップダメージの評価方法
  2.2.2 チャージアップの発生メカニズム
  2.2.3 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
  2.2.4 パターンに起因したゲート酸化膜破壊
  2.2.5 デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
  2.2.6 チャージアップダメージによる不良事例

3.アトミックレイヤーエッチング(ALE)
 3.1 ALEの歴史
 3.2 今なぜALEが必要か
 3.3 ALEの原理と特徴
 3.4 SiのALE
 3.5 GaN,AlGaNのALE
 3.6 SiO2のALE


4.おわりに ~ドライエッチング技術の今後の課題と展望~

  □質疑応答・名刺交換□

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