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セミナーセミナー番号:B180799(ドライエッチング:最新動向)

エレクトロニクス | 化学・材料 | エネルギー・環境・機械
セミナー
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

ドライエッチングの最新技術動向とプラズマダメージ
およびアトミックレイヤーエッチング(ALE)

~ドライエッチングのプロと材料メーカーエンジニアのための特別講座~
~最新技術動向と最先端のアトミックレイヤーエッチング(ALE)を詳説~
~プラズマダメージの発生メカニズムから対策までを詳説~

このページはドライエッチング2日目最新動向コースのページです。
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★ 大好評 累計第6回!ドライエッチングの最新技術動向とホットで注目のアトミックレイヤーエッチング!
★ 最先端技術とプラズマダメージも徹底解説。 ドライエッチングのプロを目指す方への最適講座です。
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2018年7月6日(金)  9:30~13:00
会場 東京・大田区平和島 東京流通センター 2F  第1会議室
会場地図
講師 ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー 野尻 一男 氏
【経歴】
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。2000年ラムリサーチ(株) 入社、取締役・CTOに就任。2017年ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー。

1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。
1994年「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。
受講料(税込)
各種割引特典
43,200円 ( S&T会員受講料 41,040円 ) S&T会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で43,200円 (2名ともS&T会員登録必須​/1名あたり定価半額21,600円) 
備考※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
このセミナーは終了しました。

趣旨

 半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング(ALE)が必要となってきています。本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、プラズマダメージ、およびALEについて分かりやすく解説します。
 最新技術動向では、Low-k Cuダマシンエッチング、メタルゲート/High-kエッチング、FinFETエッチング、3D IC用エッチング技術、さらには最近注目されているマルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。
 プラズマダメージに関してはチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置のチャージアップアップ評価について解説し、プロセス面、ハードウェア面、デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で実際に起こった不良事例も紹介します。
 アトミックレイヤーエッチング(ALE)に関しては最初に原理と特徴について解説し、次にSi やGaN、AlGaNのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには10nmロジックデバイスへの適用が始まったSiO2のALEについて詳細に解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

プログラム

<得られる知識・技術>
・マルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングを始めとした、ドライエッチングの最新の技術動向を学ぶことができる。
・プラズマダメージの発生メカニズムから対策まで、その全容を理解することができる。
・最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング(ALE)の原理、応用について学ぶことができる。


<プログラム>
1.最新技術動向
 1.1 Low-k Cuダマシンエッチング
 1.2 メタルゲート/ High-kエッチング
 1.3 FinFETエッチング
 1.4 マルチパターニング

  1.4.1 SADP
  1.4.2 SAQP
 1.5 3D NAND/DRAM用HARCエッチング
 1.6 3D IC用エッチング技術

2.ドライエッチングダメージ
 2.1 Si表面に導入されるダメージ
 2.2 チャージアップダメージ

  2.2.1 チャージアップダメージの評価方法
  2.2.2 チャージアップの発生メカニズム
  2.2.3 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
  2.2.4 パターンに起因したゲート酸化膜破壊
  2.2.5 デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
  2.2.6 チャージアップダメージによる不良事例

3.アトミックレイヤーエッチング(ALE)
 3.1 ALEの歴史
 3.2 今なぜALEが必要か
 3.3 ALEの原理と特徴
 3.4 SiのALE
 3.5 GaN,AlGaNのALE
 3.6 SiO2のALE

4.おわりに ~ドライエッチング技術の今後の課題と展望~


  □質疑応答・名刺交換□
このセミナーは終了しました。

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