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セミナーセミナー番号:B180591(レジスト)

エレクトロニクス | 化学・材料
セミナー
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

≪次世代リソグラフィとナノパターニング材料≫
レジスト・微細加工用材料への要求特性と最新技術動向

~微細化に向け進展する各種リソグラフィ・ナノインプリント技術と材料~

液浸リソグラフィ、EUVリソグラフィ、自己組織化(DSA)リソグラフィ、ダブル/マルチパターニング、ナノインプリント、、、、
微細化に向けた技術進展に欠かせない材料技術の現状と展望は? 今、どのような材料が求められているのか?
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2018年5月21日(月)  10:30~16:30
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 第1グループ活動室
会場地図
講師 大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 工学博士 遠藤 政孝 氏
【専門】半導体製造技術、量子化学、高分子化学
1983年から松下電器産業(株)半導体研究センター、パナソニック(株)プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィプロセス、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。2009年から大阪大学産業科学研究所にて、EUVレジストの研究開発に従事。
受講料(税込)
各種割引特典
48,600円 ( S&T会員受講料 46,170円 ) S&T会員登録について
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
【キャンペーン!2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)】
  ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
   (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
  ※他の割引は併用できません。
備考※資料・昼食付
得られる知識先端のレジスト、微細加工用材料の動向、要求特性についての知識、情報が得られます。
対象デバイスメーカ―の方、レジスト・半導体材料メーカーの方、半導体製造装置メーカーの方、市場アナリストの方、これらの職種を希望される学生の方等。基本も解説しますので予備知識は不要です。
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趣旨

  デバイスの最小加工寸法が10nmに近づくにつれてリソグラフィのレジスト、微細加工用材料に求められる性能、要求はますます大きくなっている。現在先端の生産で用いられているダブル/マルチパターンニング用材料の高性能化、EUVリソグラフィの実用化を促進する高解像度・小ラフネス・高感度のレジストの開発、EUVリソグラフィと併用が期待される自己組織化(DSA)リソグラフィの高解像度ブロックコポリマーの要求等、デバイス開発のキーテクノロジーとなっている。本講演では最新の学会発表、論文、特許、業界動向等に基づいて、レジスト、微細加工用材料の現状・動向と要求特性、今後の展望について述べる。

プログラム

1.はじめに
 1.1 リソグラフィ、レジストの基本
 1.2 デバイスのロードマップとリソグラフィ/レジストへの要求特性

2.液浸リソグラフィ用レジスト
 2.1 液浸リソグラフィ/レジストの基本と課題
 2.2 液浸リソグラフィ用レジストへの要求特性
 2.3 最新の液浸リソグラフィ用レジスト/トップコート

3.ダブル/マルチパターニング用材料
 3.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
 3.2 リソーエッチ(LE)プロセス用材料
 3.3 セルフアラインド(SA)プロセス用材料

4.EUVレジスト
 4.1 EUVリソグラフィの基本
 4.2 EUVレジストの基本
 4.3 EUVレジストへの要求特性と課題
 4. 4最新のEUVレジスト
  4.4.1 分子レジスト
  4.4.2 ネガレジストプロセス用材料
  4.4.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
  4.4.4 無機/メタルレジスト

5.自己組織化(DSA)リソグラフィ用材料
 5.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題
 5.2 グラフォエピタキシー用材料
 5.3 ケミカルエピタキシー用材料
 5.4 最新の高χ(カイ)ブロックコポリマー

6.ナノインプリント用材料
 6.1 ナノインプリントの基本と課題
 6.2 加圧方式ナノインプリント用材料
 6.3 光硬化式ナノインプリント用材料

7.今後の技術展望

  □質疑応答・名刺交換□

[キーワード]リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料、ロードマップ、液浸リソグラフィ、ダブルパターニング、マルチパターニング、EUVリソグラフィ、EUVレジスト、自己組織化(DSA)リソグラフィ、ナノインプリント 
 
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