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セミナーセミナー番号:B171017(レジスト)

エレクトロニクス | 化学・材料
セミナー
【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

レジスト材料・プロセスおよび周辺技術の総合知識

~レジスト・リソグラフィ入門~
~レジスト材料の基礎・プロセスの最適化、高品位化~
~トラブルの発生メカニズムと対策

これからレジスト材料を使用するユーザーの方、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでのトラブルを抱えている方々は是非
特性、プロセスの最適化から付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルの評価・解決のアプローチを解説
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2017年10月17日(火)  13:00~16:30
会場 東京・品川区大井町 きゅりあん  4F 第1グループ活動室
会場地図
受講料(税込)
各種割引特典
43,200円 ( S&T会員受講料 41,040円 ) S&T会員登録について
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額の21,600円)】
  ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
  ※他の割引は併用できません。
備考資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
得られる知識レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、などが習得できます。また、レジストユーザーの視点でのレジスト最適化やプロセスノウハウを学べます。
キーワード:レジスト,コントラスト,最適化,リソグラフィ,半導体,液晶,微細加工,MEMS
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講師

長岡技術科学大学 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座 教授 博士(工学) 河合 晃 氏
アドヒージョン(株)(研究成果活用企業(大学ベンチャー))代表取締役兼務
【講師紹介】

趣旨

 現在、フォトレジストは、産業の様々な分野で広く利用されています。しかし、その高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、フォトレジストユーザーの要求も幅広くなり、フォトレジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
 本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。

プログラム

1.レジスト・リソグラフィ入門(これだけは習得しておきたい)
 1.1 リソグラフィプロセスの基礎
  (プロセスフロー、レジスト材料、ポジ型、ネガ型レジスト、光化学反応メカニズム、
   パターン現像、露光システム、レイリ―の式、解像力、焦点深度)
 1.2 レジストコントラストで制御する
  (光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、パターン断面形状改善)
 1.3 段差部でのパターン形状の最適化設計
  (平坦化特性、膜内多重反射、バルク効果、ネックとブリッジ)
 1.4 エッチングマスクとしてのレジストパターン
  (プラズマとは、等方性と異方性エッチング、RIE、エッチング残差、ローディング効果、
   選択比、ウェットエッチング、レジスト浸透性)
 1.5 レジストコーティング方式の最適化
  (粘度、スピンコート、塗布むら対策、スキャンコート、スプレーコート、
   減圧ベーク、乾燥むら、インクジェットコート)

2.レジストトラブルの発生メカニズムと対策(最短でのトラブル解決のために)
 2.1 レジスト付着性の促進および低下要因とは
  (表面エネルギー、凝集力、応力緩和、応力集中、溶液浸透、検査用パターン)
 2.2 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する
  (毛細管現象、パターン間メニスカス、Lucas-Washburnの式、エアートンネル)
 2.3 表面エネルギーからレジスト付着性が予測できる
  (濡れ性、Youngの式、表面エネルギー、分散と極性、Young-Dupreの式、
   付着エネルギーWa、拡張係数S、円モデル、付着性と密着性の差)
 2.4 ドライ中での付着性は溶液中と逆の結果になる
  (軟化点効果、極性成分γp効果、最適条件の設定方法)
 2.5 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる
  (最適な処理温度と処理時間、装置設計)
 2.6 Al膜上でのレジスト付着不良と解決方法
  (親水化、疎水化処理、酸化被膜形成、WBL)
 2.7 パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
  (アンダーカット形状、応力解析、応力集中効果、熱応力、表面硬化層の影響)
 2.8 レジスト膜の応力をin-situ測定する
  (減圧処理、応力緩和と発生、溶剤乾燥、拡散モデル)
 2.9 レジスト膜の膨潤を計測する
  (アルカリ液の浸透、クラウジウス・モソティの式、屈折率評価、導電性解析)
 2.10 レジスト膜の欠陥発生メカニズムと対策
  (乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ)
 2.11 ドライフィルムレジスト(DFR)の付着性
  (メッキ時のEaves不良、バブル対策)
 2.12 レジスト表面の微小気泡対策
  (気泡のピンニング効果、エネルギー安定性解析)

3.技術開発および各種トラブル相談(日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます)

  □質疑応答□
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