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| 講師 ： |
第1部 精密洗浄プロセスの理論と最適化
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≪11月17日 10:30〜12:00>>
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（株）日立プラント建設機電エンジニアリング 洗浄装置部 技術顧問 平塚 豊 氏
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| 第2部 超精密プロセスから一般工業に亘るドライ洗浄でのソリューション技術と応用
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≪11月17日 13:00〜14:30>>
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(株)協同インターナショナル 電子営業部長 取締役 湯川 弘之 氏
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| 第3部 環境対応技術 機能水を用いた洗浄技術
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≪11月17日 14:45〜16:15>>
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オルガノ(株) 開発センター 第一開発部 課長 二ツ木 高志 氏
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| 第4部 半導体のウェット洗浄プロセスにおけるダメージレス洗浄とその課題
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≪11月18日 10:30〜12:00>>
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大阪大学 大学院 工学研究科 電気電子情報工学専攻 准教授 青木 秀充 氏
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| 第5部 32ｎｍ世代デバイス時代の幕開けと、それに必要な洗浄技術
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≪11月18日 13:00〜14:00>>
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アプリシアテクノロジー(株) . 執行役員、上席主管 柴田 健二 氏
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| 第6部 欠陥消滅機能を持つ半導体洗浄液の開発と半導体デバイスの高性能化
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≪11月18日 14:15〜15:45>>
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| 講演内容 ： |
第1部 精密洗浄プロセスの理論と最適化
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＜趣旨＞
高機能，高精細な精密製品では製造過程における表面汚染は致命的欠陥になるので洗浄プロセスは重要な工程となっている。しかも対象の汚れは益々微小、微量化し除去が困難になる一方、被洗浄物は繊細で損傷を受けやすくなっている。こうした洗浄を効果的に行なうには、数ある汚れ除去方法の原理をよく理解して適切な選択をしなければならない。 |
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１．精密洗浄とは
1.1 高度の表面清浄度の実現
1.2 被洗浄物のダメージレス
２．汚れの除去原理
2.1 汚れの溶解、可溶化、イオン化
2.2 汚れの酸化分解
2.3 被洗浄物表面のエッチング
2.4 洗浄媒体から与える物理エネルギー
2.5 マイクロバブル表面への吸着
３．洗浄ステップと再汚染防止
3.1 ゼータ電位制御
3.2 境界層理論
3.3 拡散速度
４．枚葉洗浄化
4.1 大面積化への対応（洗浄の均一化）
4.2 クロスコンタミの防止
4.3 少量多品種生産への対応
4.4 省資源化
５．物理作用力の活用
5.1 メガソニック
5.2 二流体噴射洗浄
６．洗浄力の均一化
6.1 枚葉スピン洗浄
6.2 水共振システムによる超音波洗浄
７．ドライ洗浄の導入
7.1 レーザー洗浄
7.2 プラズマ洗浄
7.3 極低温エアロゾル洗浄
7.4 超臨界炭酸ガス流体洗浄
□質疑応答・名刺交換□
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第2部 超精密プロセスから一般工業に亘るドライ洗浄でのソリューション技術と応用
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＜趣旨＞
これまでの洗浄は、精密、一般工業問わず薬液・超音波等を主体としたウェット洗浄が主流であり、ドライ洗浄はごく限られた目的に使用される程度である。半導体プロセスにおける洗浄もその多くが例外なくウェット洗浄が採用されている。ところが、ドライアイスブラストやサンドブラスト法によるドライ洗浄は効果的に使用することによってウェット洗浄を凌ぐメリットが得られることが知られるようになってきている。今回は、超精密プロセスから一般工業に亘る部品洗浄を対象とした洗浄について、一般に未だ浸透していないドライアイスブラスト洗浄の紹介と、ドライ洗浄を用途・目的によって使い分ける方法やウェット洗浄と比較した際のメリット等を説明する。 |
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１．部品洗浄から見る洗浄概要
1.1 各分野での部品洗浄を目的とした洗浄と可否
２．ドライアイスブラストの洗浄原理
2.1 洗浄メカニズム
2.2 サンドブラストとの比較
３．ドライアイス洗浄の特徴
3.1 ダメージレス
3.2 精密洗浄での品質向上
3.3 金型洗浄
3.4 環境への配慮
４．ドライアイス洗浄の実用例
５．ドライアイスブラストの将来性
5.1 大口径化するＳｉウェハ
5.2 リユース/リサイクルへの寄与
６．サンドブラストの応用
6.1 剥離と研磨の中間洗浄
6.2 金型の離型性向上
6.3 バリ取り
７．油分除去
7.1 小部品の洗浄
８．まとめ
□質疑応答・名刺交換□ |
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第3部 環境対応技術 機能水を用いた洗浄技術
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＜趣旨＞
半導体・液晶ディスプレイ製造工程の中で、機能水を利用した洗浄工程の導入が進んでいる。この分野でいう機能水とは、超純水または微量な薬液を添加した超純水に各種ガスを溶解、あるいは溶解濃度をコントロールして洗浄性能を高めた水のことである。従来の洗浄液ではパーセントオーダーの薬品が使用されていたが、機能水は多くてもｐｐｍオーダーの薬品の使用なので、排水処理や水回収再利用への負荷が小さく、環境に優しい洗浄方法と言える。本講演では、各種機能水の製造方法と用途を整理し、その実施例をデータをもとに紹介する。 |
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１．電子部品洗浄用機能水の種類・用途・製造方法
1.1 酸化性/還元性ガス溶解水（オゾン水、水素水）
1.2 電解水（電解アノード水、電解カソード水）
1.3 溶存ガス濃度コントロール水（溶存窒素コントロール水）
1.4 導電性機能水（炭酸水など）
1.5 高温高圧水（高圧蒸気、亜臨界水、超臨界水）
２．機能水による洗浄例
2.1 オゾン水による有機物汚染除去、金属汚染除去
2.2 水素水による微粒子除去
2.3 水素水と溶存ガスコントロール水の比較、対象微粒子種類による比較
2.4 水素水による基板表面酸化防止、マイクロラフネス発生抑制
2.5 導電性機能水による静電気対策
３．まとめ
□質疑応答・名刺交換□ |
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第4部 半導体のウェット洗浄プロセスにおけるダメージレス洗浄とその課題
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＜趣旨＞
洗浄プロセスによるダメージは、現状の技術だけでは、次世代デバイスを乗り切ることが難しくなってきました。このようなダメージを抑制するためには、薬液による化学処理や装置による物理処理だけでなく、材料界面の電子化学的な現象の理解を深めることが必要です。本講演では、電気化学がもたらすダメージ問題なども紹介しながら、洗浄技術への積極的なアプローチも紹介します。 |
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１．洗浄プロセスの動向
1.1 新材料洗浄へ
1.2 ＦＥＯＬとＢＥＯＬ洗浄における課題
1.3 界面ナノ電子化学としての洗浄プロセス
２．洗浄による電気化学的ダメージ
2.1 Ｃｕ/ＬｏｗＫのガルバニック腐食
2.2 Ｈｉｇｈ−Ｋ/メタルのガルバニック腐食
３．電気化学の積極利用技術
3.1 機能薬液 （電解硫酸）
3.2 電解ベベルエッチング
４．機能洗浄と乾燥
4.1 暫定皮膜（防食膜）の制御
4.2 機能水の還元 ガス溶存水
4.3 機能水の酸化 超臨界水
4.4 ダメージレス乾燥
５．次世代デバイスの洗浄技術とは
微小粒子の扱い （付着力）
微細領域の振る舞い
６．まとめ
□質疑応答・名刺交換□ |
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第5部 32ｎｍ世代デバイス時代の幕開けと、それに必要な洗浄技術
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＜趣旨＞
32ｎｍ世代のデバイス開発が佳境を迎え、プロセス技術の課題が見えて来た。洗浄技術に於いても多くの課題が有り、その課題に対する解決策が求められている。これらの課題のうち、特にイオン注入により硬化したレジストの剥離、サリサイドプロセスに於ける未反応金属の残渣除去を取り上げ、その解決策を紹介する。また、ドライ洗浄（極低温エアロゾル洗浄）のメモリーデバイスへの応用についても最新の動向を紹介する。 最後に、Ｈｏｔリン酸による高精度・ＳｉＮ/ＳｉＯ２高選択性エッチングを実現する、Ｓｉ濃度コントロールの重要性と優位性について紹介する。 |
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１．32ｎｍ以降のデバイスで求められる洗浄技術
２．高温ＳＰＭによるイオン注入硬化レジスト剥離
2.1 イオン注入硬化レジスト剥離に於ける課題
2.2 なぜ膜ロスを最小にする必要が有るか？
2.3 アッシングを使わないＡｌｌ−Ｗｅｔのレジスト剥離技術
３．高温ＳＰＭによるＮｉＰｔ残渣除去
3.1 サリサイドプロセスに於ける課題
3.2 高温ＳＰＭによる残渣除去技術の優位性
４．極低温エアロゾル洗浄のメモリーデバイスへの応用
５．Ｈｏｔリン酸による高精度・ＳｉＮ/ＳｉＯ２高選択性エッチング
5.1 高精度・ＳｉＮ/ＳｉＯ２高選択性エッチング実現のカギは？
5.2 リン酸中のSi濃度コントロールの重要性と優位性
６．まとめ
□質疑応答・名刺交換□ |
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第6部 欠陥消滅機能を持つ半導体洗浄液の開発と半導体デバイスの高性能化
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＜趣旨＞
半導体のエッチングを起こさずに、半導体上の金属汚染物を除去できる新規の半導体洗浄液について、解説をする。新規洗浄液の洗浄能力は従来洗浄液に比較して格段に高く、室温でしかもｐｐｍオーダーの極低濃度でも、十分な洗浄効果を発揮する。新規洗浄液では、除去した金属汚染の再付着が起こらず、反復使用も可能である。半導体の表面近傍に、シリコンダングリングボンド等の欠陥が存在すれば、洗浄液の成分がこれに選択的に吸着して、欠陥を消滅させる機能を備え持つ。欠陥準位の消滅の結果、シリコン太陽電池の高性能化、極薄酸化膜を持つＭＯＳダイオードのリーク電流密度の低減等、半導体デバイスの高性能化を行うことができる。 |
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１．新規洗浄液を用いる半導体洗浄
1.1 新規洗浄法の特徴と利点
1.2 新規洗浄法によるＳｉＯ２膜表面からの金属汚染の除去
1.3 新規洗浄法によるシリコン表面からの金属汚染の除去
1.4 新規洗浄法の金属除去のメカニズム
1.5 新規洗浄法のエッチングの防止及びシリコン表面の平坦化
1.6 ｐｐｍオーダーの極低濃度洗浄液による金属汚染の除去
1.7 新規洗浄法によるＳｉＣの洗浄
２．新規洗浄液を用いる半導体欠陥準位の消滅
2.1 新規欠陥消滅法の特徴
2.2 新規洗浄液によるシリコン表面のパッシベーション
2.3 新規洗浄液によるＳｉＯ２/シリコン界面の界面準位の消滅
2.4 新規洗浄液によるシリコン太陽電池の高効率化
2.5 新規洗浄液による多結晶シリコン欠陥準位の消滅
2.6 新規洗浄法による非シリコン半導体の欠陥消滅
2.7 新規洗浄法の安全性とゼロエミッション技術
□質疑応答・名刺交換□ |