セミナー番号：A080804(TOF-SIMS)

→各種 割引特典  FAXで申込む(PDF)

★前処理、測定条件の選定など注意するべきポイントとは

★ＴＯＦ−ＳＩＭＳを使いこなすことで得られるものとその活用

ＴＯＦ−ＳＩＭＳの基礎と応用、測定の実際

講師        ： 旭化成(株) 基盤技術研究所 表面解析Grリーダー　河野 禎市郎　氏 【専門】表面分析 日時        ： 2008年8月4日(月) 13:00〜16:30 会場        ： 東京・品川区大井町 きゅりあん 5F　第3講習室 ≪会場地図はこちら≫ 受講料     ： (税込) 42,000円 　⇒E-mail案内登録会員 39,900円 　　※資料付 上記価格より：＜2名で参加の場合1名につき7,350円割引＞＜3名で参加の場合1名につき10,500円割引＞（同一法人に限ります）

講演内容  ： ＜趣旨＞ 　飛行時間型二次イオン質量分析法（TOF-SIMS）は、固体最表面（数Å）の分析手法で、感度が高い、サブミクロンの空間分解能でのイメージングが可能、分子構造に関する情報量が豊富、という特徴を有する。 　本講演では、TOF-SIMSの原理と特徴について触れた後、各種工業材料への適用例を紹介する。さらに実際の分析操作について簡単に説明し、前処理や測定条件選定における注意すべきポイントなどについて解説する。 １.TOF-SIMSの原理 　1.1 スパッタリングと2次イオン生成 　1.2 装置原理 ２.TOF-SIMSの機能と特徴 ３.TOF-SIMSの応用例 　3.1 材料別応用例 　　3.1.1 化学工業への応用例 　　3.1.2 高分子への応用例 　　3.1.3 生体材料への応用例 　　3.1.4 半導体材料への応用例 　　3.1.5 その他 　3.2 技術別応用例 　　3.2.1 深さ方向分析 　　3.2.2 3次元分布分析 　　3.2.3 クラスタイオン銃を利用した分析 　　3.2.4 メタルアシスト法 　　3.2.5 冷却測定 　　3.2.6 多変量解析の適用 　　3.2.7 ポストイオン化 ４.TOF-SIMSの分析の実際 　4.1 前処理 　4.2 測定 　4.3 データ解析 　4.4 結果の解釈 ５.まとめ 　　□質疑応答・名刺交換□

FAXで申込む(PDF)

TOPへ

★★★　このセミナー・書籍の関連テーマはこちら　★★★

◆書籍　表面・深さ方向の分析方法